SKハイニックス米5.6兆HBM工場、住民訴訟1件が和解

SKハイニックスが米国インディアナ州に建設中の40億ドル（約5兆6000億ウォン）規模の先端パッケージング工場の敷地をめぐる地域住民の反対訴訟のうち1件が和解に達した。工場建設を阻んでいた法的な不確実性が一部解消され、2029年下期に予定される次世代HBM（広帯域メモリー）の生産計画にも弾みがつく見通しだ。

11日、米国インディアナ州ラファイエットの地域メディア「ベースド・イン・ラファイエット（Based in Lafayette）」によると、SKハイニックスのウェストラファイエット工場敷地の用途変更を取り消すよう求め、住民のカール・ジャニッチ氏とショーン・セイサー氏が起こした訴訟が原告側と法廷で和解に達したと伝えられた。原告を代理するアリ・リピンスキー弁護士は同日、法廷で「双方が和解をまとめる段階にあり、近く裁判所に関連書類を提出する」と明らかにした。

この訴訟は2025年6月に提起された。同年5月、ウェストラファイエット市議会はSKハイニックスの工場が入る121エーカー（約14万8000坪）の敷地の用途を一戸建て住宅用地から重工業用地に変更する案件を6対3で可決した。これに対し、工場敷地から約1マイル（1.6キロ）離れた場所に住む住民らは、市議会が環境汚染や安全問題、住宅価格の下落などに関する専門家の警告を無視して権限を乱用したとして、市とSKハイニックス、敷地所有者のパデュー研究財団（PRF）を相手取って訴訟を起こした。

今回の和解にもかかわらず、別の住民ローラ・ウィリアムズ氏が同じ日に起こした別の用途変更取り消し訴訟は依然として係争中だ。この裁判は12月1日から3日間開かれる予定だ。SKハイニックスと市側は住民らが提起した被害の主張は推測にすぎないとして訴訟の却下を求めたが、裁判所は先月これを退け、正式な審理を進めることを決めた。

SKハイニックスは訴訟が続くなかでも8月27日に工場の起工式を開き、基礎工事を進めている。この工場はSKハイニックスにとって米国初のHBM生産拠点で、韓国で製造したDRAMを持ち込み、2.5Dおよび3D積層などの先端パッケージング工程を経て次世代メモリーを生産する役割を担う。SKハイニックスは2028年下期にクリーンルームを完成させ、2029年下期からHBM4Eの量産に入る計画だ。

米国政府はSKハイニックスのインディアナ工場建設を支援するため、半導体法（CHIPS Act）に基づき4億5800万ドル（約6400億ウォン）の直接補助金と最大5億ドル（約7000億ウォン）の融資を行う。郭魯正SKハイニックス最高経営責任者（CEO）は8月の起工式で「米国内での投資と協力を拡大し、米国AIの未来を形作る最も信頼できるパートナーになる」と述べた。

※ この記事は韓国信用新聞（韓国語）の記事をAIが翻訳し、日本語版編集部が自動配信したものです。